European Case Law Identifier: | ECLI:EP:BA:2003:T008501.20030306 | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Datum der Entscheidung: | 06 März 2003 | ||||||||
Aktenzeichen: | T 0085/01 | ||||||||
Anmeldenummer: | 95106780.0 | ||||||||
IPC-Klasse: | C04B 35/457 | ||||||||
Verfahrenssprache: | DE | ||||||||
Verteilung: | C | ||||||||
Download und weitere Informationen: |
|
||||||||
Bezeichnung der Anmeldung: | Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid und Verfahren für seine Herstellung | ||||||||
Name des Anmelders: | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | ||||||||
Name des Einsprechenden: | Unaxis Materials Deutschland GmbH | ||||||||
Kammer: | 3.3.05 | ||||||||
Leitsatz: | - | ||||||||
Relevante Rechtsnormen: |
|
||||||||
Schlagwörter: | - | ||||||||
Orientierungssatz: |
- |
||||||||
Angeführte Entscheidungen: |
|
||||||||
Anführungen in anderen Entscheidungen: |
|
Sachverhalt und Anträge
I. Die Beschwerde richtet sich gegen die Entscheidung der Einspruchsabteilung, mit der das europäische Patent No. 0 694 507 widerrufen wurde. Der angefochtenen Entscheidung lagen die am 18. Oktober 2000 eingereichten Ansprüche 1 bis 6 zugrunde. Anspruch 1 hat folgenden Wortlaut:
"1. Bauteil aus Indium-Zinn-Oxid mit einer mittleren Korngröße der gesinterten Oxidpartikel von mehr als 2. µm, und mit einer Dichte von mehr als 95% seiner theoretischen Dichte, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxidpartikel mit einem Gewichtsanteil von mindestens 97% als Mischkristall im Kristallgitter von Indium-Oxid vorliegen."
II. Nach der angefochtenen Entscheidung mangele es dem Gegenstand des Anspruchs 1 an Neuheit gegenüber D3 (EP-A-0 584 672). In der Entscheidung wird u. a. ausgeführt, aus der Berechnung der Beschwerdeführerin könne nicht gefolgert werden, daß das Material aus Beispiel 17 der D3 den erforderlichen Anteil von 97% an Mischkristall nicht aufweise. Die C2-Phase sei als Mischkristall anzusprechen und werde auch in D3 selbst so bezeichnet. Diese Phase bestehe aus einem Indiumoxid-Kristallgitter, bei dem regellos In durch Sn substituiert sei. Damit falle sie unter den in Anspruch 1 verwendeten Begriff "Mischkristall im Kristallgitter von Indium-Oxid". Selbst wenn in den Beispielen der D3 C2-Phase vorhanden sei, so sei diese dem Gesamtanteil an Mischkristallphasen im Kristallgitter von Indiumoxid zuzurechnen, womit deren Anteil am Gesamtmaterial die im Streitpatent geforderten 97% übersteige.
III. Mit der Beschwerdebegründung hat die Beschwerdeführerin (Patentinhaberin) am 26. April 2001 vier Hilfsanträge sowie Vergleichsversuche eingereicht. Die Beschwerdegegnerin (Einsprechende) hat mit Eingabe vom 31. Mai 2002 ihren Einspruch zurückgenommen. Am 6. März 2003 hat eine mündliche Verhandlung stattgefunden. In der mündlichen Verhandlung wurden die Fragen der Neuheit und erfinderischen Tätigkeit des Produktes gemäß Anspruch 1 des Hauptantrags vom 18. Oktober 2000 erörtert. Die Beschwerdeführerin hat dann den Hauptantrag vom 18. Oktober 2000 und den Hilfsantrag 1 vom 26. April 2001 zurückgenommen. Sie hat die Ansprüche 1. bis 4 gemäß Hilfsantrag 2 vom 26. April 2001 als Hauptantrag (und einzigen Antrag) eingereicht. Anspruch 1. gemäß Hauptantrag vom 6. März 2003 hat folgenden Wortlaut:
"1. Verfahren zur Herstellung von Bauteilen aus Indium-Zinn-Oxid, mit einer mittleren Korngröße der gesinterten Oxidpartikel von mehr als 2 µm, und mit einer Dichte von mehr als 95% ihrer theoretischen Dichte, wobei die Oxidpartikel mit einem Gewichtsanteil von mindestens 97% als Mischkristall im Kristallgitter von Indium-Oxid vorliegen, durch Formen eines Rohlings aus einem eine Mischkristallphase aus Indium-Oxid und Zinn-Oxid enthaltenden Mischkristallpulvers, und Sintern des Rohlings, dadurch gekennzeichnet, daß das Sintern bei Temperaturen unterhalb von 1100°C, vorzugsweise bei Temperaturen Zwischen 800°C und 1050°C erfolgt und daß das Mischkristallpulver eine BET-Oberfläche von weniger als 5 m²/g aufweist."
IV. Am Ende der mündlichen Verhandlung beantragte die Beschwerdeführerin die Aufhebung der angefochtenen Entscheidung und die Zurückverweisung des Falles an die erste Instanz zur Fortsetzung des Verfahrens auf der Grundlage des in der mündlichen Verhandlung überreichten Hauptantrages.
Entscheidungsgründe
1. Die Beschwerde ist zulässig.
2. Die Ansprüche 1 bis 4 gemäß dem Hauptantrag erfüllen die Vorschriften des Artikels 123 (2) und (3) EPÜ. Der Verfahrensanspruch 1 unterscheidet sich vom erteilten Anspruch 3 nur dadurch, daß der Verweis auf Anspruch 1 durch die Merkmale des erteilten Anspruchs 1 ersetzt worden ist. Durch diese Änderung ist der Schutzbereich des Streitpatents nicht erweitert worden.
3. Der geltende Hauptantrag enthält keine Sachansprüche mehr. Die Widerrufsgründe bezüglich der mangelnden Neuheit der Sachansprüche gegenüber D3 gelten nicht für die jetzigen Verfahrensansprüche. Das Verfahren gemäß Anspruch 1 ist gegenüber dem zitierten Stand der Technik neu. Dies wurde nicht bestritten, so daß sich weitere Ausführungen hierzu erübrigen.
4. In der angefochtenen Entscheidung ist nicht über die Frage der erfinderischen Tätigkeit gegenüber dem zitierten Stand der Technik abschließend entschieden worden. Die Kammer hält es nicht für angezeigt, diese Frage selbst zu untersuchen und macht von ihrer Befugnis nach Artikel 111 (1) EPÜ Gebrauch, entsprechend dem Antrag der Beschwerdeführerin, die Sache zur Fortsetzung des Verfahrens an die Einspruchsabteilung zurückzuverweisen.
ENTSCHEIDUNGSFORMEL
Aus diesen Gründen wird entschieden:
1. Die angefochtenen Entscheidung wird aufgehoben.
2. Die Sache wird an die erste Instanz zurückverwiesen zur Fortsetzung des Verfahrens auf der Grundlage des in der mündlichen Verhandlung überreichten Hauptantrags.